新型EasyPACK C封装的SiC功率模块，极大提升了工业应用的效率与使用寿命。英飞凌重磅推出EasyPACK C，此乃其EasyPACK封装系列的下一代革新之作，适用于在恶劣环境与波动负载条件下运行的快速直流电动汽车（EV）充电、兆瓦级充电、储能系统以及不间断电源（UPS）。

该新封装下的首批产品为SiC功率模块，其集成了英飞凌的CoolSiC mosfet 1200 V G2以及该公司的专利技术——XT互联技术。相较于上一代CoolSiC mosfet，这些模块设计使得功率密度提升了逾30%，使用寿命延长了20倍之多。不仅如此，它们还显著降低了导通电阻（RDS(on)），降幅约达25%。

此模块能够承受高达Tvj(over) = 200℃的过载开关条件。模块配备了全新的PressFIT引脚，可使电流容量倍增，降低印刷电路板（PCB）级别的温度，同时优化安装工艺。一种新型塑料材料与硅凝胶的运用，支持高达Tvj(op) = 175℃的工作温度。其隔离等级为3千伏交流电，隔离时长可达1分钟。

EasyPACK C封装的新型模块适用于多种拓扑结构，涵盖三级和H桥配置，用户可根据需求选择是否使用热界面材料。

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