氧化镓(β‑Ga₂O₃)产业链 氧化镓属于第四代超宽禁带半导体,禁带宽度 4.8‑5.0eV,主打高压功率器件、日盲紫外探测 产业链标准结构:上游原材料&设备 → 中游衬底‑外延‑芯片制造‑封装测试 → 下游应用,当前处于中试向小批量商用过渡阶段,p 型掺杂为核心技术瓶颈 核心痛点:无有效 p 型掺杂
氧化镓(β‑Ga₂O₃)产业链
氧化镓属于第四代超宽禁带半导体,禁带宽度 4.8‑5.0eV,主打高压功率器件、日盲紫外探测
产业链标准结构:上游原材料&设备 → 中游衬底‑外延‑芯片制造‑封装测试 → 下游应用,当前处于中试向小批量商用过渡阶段,p 型掺杂为核心技术瓶颈
核心痛点:无有效 p 型掺杂