华算科技晶体阴离子空位阳离子空位空位电荷能带结构在理想晶体中，每一个晶格位置都由规定的离子占据，整体构成规则而中性的空间结构。然而，在实际材料中，由于热激发、化学环境变化、行为或非化学计量状态的存在，局部晶格可能发生，。

阴离子空位阳离子空位图1：阴离子空位、阳离子空位示意图。

什么是阴离子空位

在经典的Kröger–Vink符号系统中，阴离子空位通常记作，即该空位相对于缺失的氧离子呈现双正电状态。这是因为去除了一个带二负电荷的离子后，局部区域相对表现为正电性。

能带调制效应，其可引入浅能级施主态，增强载流子浓度其形成机制可以是热激发导致离子从晶格中逃逸，也可以是材料处于还原气氛或低氧分压环境中自发产生。阴离子空位的存在不仅破坏局部晶格对称性，还可能导致晶体膨胀、电子局域态产生以及扩散行为增强，特别在固体氧化物电解质中，其迁移率成为决定离子电导率的关键因素。

相应地，VM′′。阳离子空位的形成通常源自氧化气氛、高温条件或高价离子掺杂引起的阳离子稀释，为了维持整体电荷平衡，系统通过生成阳离子空位来抵消正电荷过量。

高温烧结过程中，可加速阳离子的迁移，促进物相重构与致密化载流子的浓度从能带结构角度看F中心影响p型或n型导电特性图3：空位对电荷分布的影响。

阴、阳离子空位的作用

催化热力学上，阴阳离子空位的浓度可由质量作用定律描述，服从he，其形成能与迁移能共同决定了离子在晶格中的扩散行为。空位分布则可能显著偏离均匀状态，形成局部富集或耗尽区域。

热处理、气氛调控、离子掺杂图4：