【三星宣布投产第九代V-NAND闪存】今天，三星宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存，首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存，新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力，巩固其领导地位。与上一代V-NAND相比，第九代V-NAND的单位面积存储密度提高了约50%，这得益于行业内最小的单元尺寸和最薄的模具层。为了提升产品质量和可靠性，三星采用了新的创新技术，诸如避免单元干扰和延长单元寿命，同时取消备用通道孔则大幅减少了存储单元的平面面积。第九代V-NAND采用了新一代Toggle 5.1闪存接口，让数据传速速度提升33%，高达3.2Gbps。与上一代产品相比，第九代V-NAND的功耗降低了10%，可使SSD变得更为节能。 三星已于本月启动1Tb TLC第九代V-NAND的大规模生产，将于今年下半年推出相关产品。
