【三星1cnm DRAM已获得生产许可】据TECHPOWERUP报道，1cnm DRAM生产已经在三星内部获得批量生产许可，这标志着新一代DRAM技术已开发完成。三星也遵循了之前DRAM技术升级的节奏，迭代时间约为两年。 1cnm DRAM属于第六代10nm级别工艺，电路线宽约为11-12nm，领先于现有第五代10nm级别的1bnm。为了提高良品率，满足量产的要求，三星在今年初还选择重新调整1cnm DRAM的设计。 HBM4属于第六代HBM产品，为12层垂直堆叠，三星打算选择4nm工艺用于大规模生产HBM4的基础裸片，并搭配1cnm DRAM芯片。随着英伟达下一代Rubin架构GPU的到来，加上AMD也在准备Instinct MI400系列，两者都计划采用HBM4，预计HBM4在2026年下半年将成为主流。
