据报道三星400层以上NAND因COP工艺底层压力过大被迫转向W2W混合键合,而这一技术,其实就是长江存储大约四年前就开始积极量产名为“Xtaking”的混合键合技术。
而sk海力士的下一代 NAND闪存芯片的核心专利,也需要依赖此项技术,预计SK海力士也将与长江存储签署专利协议。
越来越有意思了,一直对自己技术引以为傲的韩国人,反被中国专利卡了脖子,我们也有吃专利饭的一天哈哈。
据报道三星400层以上NAND因COP工艺底层压力过大被迫转向W2W混合键合,而这一技术,其实就是长江存储大约四年前就开始积极量产名为“Xtaking”的混合键合技术。
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