GPU压榨算力倒逼存储升级，关注半导体存储技术突破与投资机遇（附股） 市场选择NVIDIA的核心逻辑在于他们的模型可以更高效地利用算力，从而影响资本支出。GPU算力与存储需求的动态关系 核心逻辑：AI模型对GPU算力的极致压榨导致计算效率提升，间接暴露存储瓶颈。模型训练/推理过程中数据吞吐量激增，推动近端存储（如HBM）和远端存储（如DDR5）的扩容需求。 二阶效应：算力提升→存储带宽/容量升级→存储技术迭代加速。HBM2e/DDR5等高带宽内存成刚需，3D NAND堆叠技术满足大容量存储需求。 国产存储技术突破的关键进展 技术突破点： 3D NAND：长江存储(XMC)已量产128层以上3D NAND，缩小与三星/铠侠差距。 DRAM：长鑫存储(CXMT)推进DDR5/LPDDR5研发，19nm工艺逐步放量。 HBM：尽管HBM2e国产化尚处早期，但封装材料/测试环节已有布局（如通富微电）。 专利合作：长存与三星专利协议可能涉及交叉授权，降低国际扩张风险，体现技术话语权提升。 存储市场的战略地位与周期机遇 市场规模：存储芯片占全球半导体市场约30%，DRAM/NAND合计超1500亿美元。突破存储等于卡位半导体核心赛道。 周期共振：2024年存储行业进入上行周期，AI服务器拉动HBM需求（年增率超50%），手机/PC复苏推动DDR5渗透，供需改善驱动价格涨幅超预期。 国产替代的“天时地利人和” 天时：全球存储巨头缩减资本开支，国内逆周期扩产（长存二期、长鑫二期）。 地利：政策端大基金二期加码存储，需求端本土AI/数据中心市场庞大。 人和：设备材料国产化（北方华创、拓荆科技）支撑自主供应链。 关注方向： 存储芯片厂商：长存/长鑫供应链（兆易创新、东芯股份）。 先进封装：HBM所需的TSV封装技术（华海诚科、深科技）。 存储配套：DDR5配套芯片（澜起科技）、存储模组（江波龙）。 风险提示：技术爬坡良率波动、海外技术封锁升级、周期景气度不及预期。 GPU算力革命与存储升级形成技术共振，国产存储凭借技术突破+周期反转+政策红利，正从“替代者”向“规则制定者”跃迁。短期关注涨价弹性标的，中长期布局HBM/存算一体等前沿赛道。 来源：蜡笔、南方财富
