产生极紫外线光（EUV)的两种技术路径！ 光刻机最重要的的就是光源，尤其制造高端芯片，离开极紫外线光波长13.5nm的光刻是不行的。极紫外线光EUV的波长通常在10纳米到14纳米之间。 LDP技术是将少量锡气化成云雾，然后利用高电压将锡蒸气转化为等离子体。电子与锡离子碰撞产生13.5纳米的EUV光。这种技术华为已经申请了专利。下一步中国的高端制程工艺芯片制造也许就靠它实现了。 LPP技术利用高功率激光（如二氧化碳激光）照射在锡滴上，使其气化并形成等离子体。等离子体辐射出13.5纳米的极紫外光（EUV），用于光刻过程。ASML在使用这种技术已经生产7nm以下制程的高端芯片了。
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