韩媒：中国与韩国的HBM差距缩小至三年！
7月4日，韩国媒体《首尔经济日报》发表文章称，研究发现，随着中国企业发起大规模攻势追赶主导HBM市场的韩国，韩国和中国在HBM领域的技术差距已缩小到大约三年。
 
据半导体行业消息，分析显示，三星电子、SK海力士与中国长鑫存储出之间的HBM技术差距约为三年。一位熟悉中国半导体企业的资深业内人士表示：“长鑫存储目前的HBM技术比三星电子落后两到三代。”他补充道：“但是，长鑫存储并没有放弃技术研发，而是积极推进，目前已赶上三星电子和SK海力士的HBM3水平。”

近期，长鑫存储大幅提升其HBM的量产能力，预计到年底，其12英寸晶圆月产能将达到30万片。这将占全球供应量的14%，与美国美光科技的产能相当。

现在看来，虽然良率仍然较低，但长鑫存储HBM3技术已经逼近韩国HBM3产品的水平。由于三星电子和SK海力士已经开始量产第六代HBM4，评估认为，韩国与中国之间的技术差距可能在三年左右。

与此同时，随着英伟达发布了首款PC AI芯片“N1 X”，三星电子和SK海力士的内存芯片需求再次激增。