杭州镓仁半导体表示，其新建的晶圆生产线有望加速氧化镓功率半导体的商业化进程。

中国企业杭州镓仁半导体有限公司宣布，已建成全球首条兼容6英寸和8英寸同质外延氧化镓晶圆的量产线。该公司称，这一里程碑有望加快下一代功率半导体的商业应用。

该公司宣布，已向头部芯片制造商交付6英寸（100）晶向同质外延氧化镓晶圆，并表示这标志着稳定批量生产和供应的开始。

氧化镓的应用探索范围涵盖电动汽车、高压电网、光伏储能系统以及先进射频通信等领域。其超宽带隙特性使器件能够承受比传统硅更高的电压和温度，因此成为下一代电力电子器件极具吸引力的候选材料。如果该公司的制造能力在商业量产中得到验证，更大尺寸的晶圆将有助于推动这种材料向广泛的工业应用迈进。

据该公司介绍，目前市场上大多数氧化镓晶圆的直径在2英寸至4英寸之间，这使得先进功率器件的大规模生产变得困难。

晶圆生产规模化

镓仁半导体声称，其新产线通过将专有的铸造法单晶生长工艺与优化的金属有机化学气相沉积（MOCVD）外延工艺相结合，突破了这些制造壁垒。

该公司表示，其晶体生长技术可生产超厚氧化镓晶体，而超薄衬底工艺则使衬底产出量比传统方法提升三到四倍。

据镓仁半导体称，该制造方案还降低了铱耗，使每片晶圆的衬底成本降低80%以上，并为器件制造商减少了材料成本。

该公司公布的鉴定数据显示，6英寸同质外延晶圆的外延层厚度大于10微米，厚度不均匀性低于1%。公司表示，这种均匀性水平可提高面向高压、高频和高温应用的功率器件的制造良率。

商业应用拓展

镓仁半导体表示，公司已建成覆盖单晶生长、衬底加工和同质外延的完整制造链。该公司还声称，该产线可同时支持6英寸和8英寸晶圆，并保持批间质量稳定。

除与国内芯片制造商签署长期供货协议外，镓仁半导体称，海外企业和研究机构也已开始下单，表明市场对该技术的兴趣日益增长。

更大尺寸的晶圆被认为是降低半导体制造成本的重要一步。8英寸晶圆可产出的芯片数量约是4英寸晶圆的四倍，从而提升生产效率并降低单颗器件成本。

生产质量一致的大尺寸晶圆，一直是氧化镓面临的最大制造挑战之一。如果制造商能够可靠地实现规模化生产，这种材料将在商业功率电子领域变得更加实用。

氧化镓的应用探索范围涵盖电动汽车、高压电网、光伏储能系统以及先进射频通信等领域。如果该公司的制造能力在商业量产中得到验证，更大尺寸的晶圆将有助于推动这种材料向广泛的工业应用迈进。

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