恭喜合肥长鑫存储科技！

长鑫存储（CXMT）在世界制造业大会上宣布，第五代DRAM技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。长鑫存储表示，新平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点。

G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破：依托创新的四重曝光技术，把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程；通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1；开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

微缩工艺的突破推动了存储密度实现跨越式提升，每片晶圆产出裸片数量相比于之前的第四代平台提升至少50%，无论能效还是成本控制上，都有着更为明显的优势，为新一代产品带来了性能跃升。与此同时，长鑫存储在现有工艺模块的基础上，创造了独特的数字孪生系统，贯穿包括设计、开发、制造、维护等全生命周期的产品研发过程，在这一虚拟研发线中，搭建先进DRAM工艺模型，加速研发进程。另外在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等核心工艺上，均实现了突破。

去年末，长鑫存储发布了LPDDR5X系列产品，最高速率达到了10667Mbps，最高颗粒容量16Gb，包括12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多种封装解决方案，提供了8533Mbps和9600Mbps规格可选，另外还有容量为16GB和32GB的LPCAMM模组形态产品。这次长鑫存储在世界制造业大会展出了两款基于G5平台打造的LPDDR5X产品，单颗容量提高至24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，均已进入规模量产阶段。最近长鑫存储已正式量产LPDDR6产品，预计也将转向G5平台，通过新工艺进一步提升性能及能效表现。考虑到长鑫存储旗下也有DDR5产品，未来大概率还会带来DDR6产品，G5平台应该有更大的施展空间。