11月25日消息，据韩国媒体Business Korea报导，韩国三星电子将于2026年的定期高阶主管人事调整中，大规模遴选并晋升芯片核心制程的技术人才，目的在全面提升先进制程良率并确保量产竞争力。此举被韩国业界视为三星电子战略转变的明确信号，即从追求领先的竞争，转向专注于稳固良率和量产稳定性的策略。

报导指出，由于代工和存储事业部在过去一段时间内又许多良率和量产稳定性方面的挑战，使得三星此次将核心领导人才安排在不良分析、先进制程和新元件开发等关键领域，以恢复并奠定半导体竞争力的基础。

一位韩国半导体业界相关人士评论指出，三星以现场技术领导力为中心的人事调整，展现了公司在两大半导体核心支柱上达成稳定的坚定决心。

以代工事业部为例，在本次人事调整中，针对良率改善的核心技术人才的晋升尤其引人注目。之前，三星代工在2nm和3nm制程的良率确保上遭遇困难，导致其竞争力受到动摇。例如用于旗舰智能手机的Exynos 2500移动处理器（AP）就因为3nm良率确保失败，最终取消了在Galaxy旗舰产品上的搭载。而且，还造成部分主要客户将生产订单转移至台积电，导致三星的业绩表现不佳。

然而，近期韩国业界人士分析显示，三星代工业务已进入复苏阶段。目前，先进制程良率稳定和新客户获取正在同步进行。具体而言，4nm之后的良率改善速度加快，同时也观察到2nm初期良率取得进展。此外，来自特斯拉等大型科技公司和AI芯片设计公司的新订单不断涌入，开始有了业务反弹的信号。

为反映并强化这一趋势，三星多位关键技术领导者获得晋升：

Kim Young-dae（中译：金永大）副社长（代工事业部产品技术组长），他是一位评价与分析专家，先前透过提升晶圆特性分析和不良验证体系，协助确保了2nm和3nm领先制程的良率与性能。

Jeon Ha-young（中译：全夏英）制程工程师：他通过干式清洁（Dry Clean）超精密蚀刻新制程，为确保3nm、2nm乃至1.4nm尖端制程的微细化技术做出了贡献。

至于在存储事业部中，三星同样面临市场压力。2024年第四季，三星电子在全球DRAM市占率方面将第一的宝座让给了主导HBM市场的SK海力士。为此，三星电子正加快步伐，在实现HBM3E量产之后，加速下一代HBM4的开发。目前，公司正集中精力确保HBM4的良率，并生产了1万片单位的样品。

在此次人事调整中，该领域的核心人才也被推向第一线：

Hong Hee-il （中译：洪熙一）副社长（內存事业部DRAM PE组长）：他透过对HBM3E、HBM4、DDR5和LPDDR5x等主要DRAM产品的生产优化和不良筛选，显著提高了产品的完成度。

Yoo Ho-in（中译：刘浩仁）常务和Lee Byeong-hyun（中译：李炳铉）副社长（DRAM PA2 Group）：两人在D1c DRAM及HBM4的开发过程中，确认了良率与量产，以及不良品的控制。

Noh Kyung-yoon （中译：卢庆润）副社长（Flash PA1组长）：他通过导入新制程来改善单元可靠性和提高量产性，为强化下一代V-NAND的竞争力做出了贡献。

Jeong Yong-deok（中译：郑容德）副社长（全球制造与基础设施总管MI技术组长）：他整合了DRAM、闪存和逻辑等所有产品的计量和不良品检测能力，从而提升了量产的稳定性。

除了针对现有产品线的良率提升外，此次晋升也涵盖了对下一代技术领导者的培养，特别是在材料和封装领域。

Lee Jae-deok（中译：李在德）院士（Flash TD组）：他主导了高性能V-NAND用新材料的开发。

Kang Myung-gil（中译：姜明吉）制程工程师（Logic TD1组）：他领导了GAA（环绕闸极）和FinFET等逻辑新元件的研究。

Kim Jae-choon（中译：金载春）制程工程师（PKG开发组）：他对于AI和HPC（高效能运算）用封装的热特性优化做出了重要贡献。

报道强调，业界普遍认为，此次人事变动代表着三星在半导体策略上的重大转折点。在经历了代工业务因良率不足导致客户流失的困境之后，最近新订单的承接和制程改善已开始具体化。三星透过将管理重点转移到现场技术领导力和良率稳定化上，展现了在关键技术基础上实现业务全面好转的坚定意志。

编辑：芯智讯-林子