芯闻简讯：3D NAND制程材料正“由钨转钼”，供应链有望受惠

半导体产业研究机构SemiAnalysis周日（23日）在X平台发布文章指出，当3D NAND堆叠层数突破约300层后，传统以钨（Tungsten，W）制作的字线（word line）逐渐面临物理与制程限制，钼（Molybdenum，Mo）可能成为高层数NAND不可避免的材料选择。

SemiAnalysis认为，从钨转向钼并非单纯的制程优化，而是300层以上NAND发展下的必要转型。
3D NAND约在10年前逐渐停止通过水平微缩提升密度，转而依靠垂直堆叠更多存储器层数增加单位面积的存储容量。

然而，当堆叠层数持续攀升，连接各个存储器单元的钨字线也开始成为制程瓶颈。其中包括电阻过高、氟基化学制程可能造成漏电问题，以及在超高深宽比结构中难以有效完成材料填充等限制。

分析指出，相较于钨，钼在高层数3D NAND结构中具有三项关键优势：

首先，钼的电阻较低，有助于提升存储器读写速度；

其次，钼制程不需要使用氟基化学工艺；

第三，钼在高深宽比结构中的填充能力较佳。这些特性分别对应钨在超高层数NAND中面临的主要限制，也使材料转换逐渐从制程选项转变为高层数NAND的必要条件。

SemiAnalysis整理显示，铠侠（Kioxia）与SanDisk目前约为218层，美光科技达276层，三星电子为286层，而SK海力士则以321层处于产业前段。

SemiAnalysis预估，钼在全球NAND总产能中的占比，将从2025年的个位数中段百分比，提升至2027年约30%。

主要NAND制造商均已明确承诺转向钼工艺：其中，三星是较早采用钼字线的厂商，相关产品自2024年起已进入量产；美光则在2025年利用泛林（Lam Research）的ALTUS Halo设备启动大规模量产；SK海力士则计划在2026年底推出采用钼制程的375层NAND。