高市早苗发表不当涉台言论后，日本一直对华持对抗的态度。很多博主考虑到日本对华110家实体的出口管制清单，认为日本有可能会在光刻胶上面做文章，这将会影响到中国半导体制造企业的正常运行。

雅虎日本近期发文表示，应当效仿2019年，对韩国光刻胶卡脖子的方式来对付我们。

如果日本用光刻胶作为武器对付我们，该怎么办？

我们首先需要明白光刻胶是晶圆制造的必备耗材。光刻胶有一种特性，遇到光后可产生固化的化学反应。在掩膜板的帮助下，光刻机照射到掩膜板下方的光刻胶，可以生成电路纹案。再通过显影、刻蚀的工艺将这些纹案变成电路。在晶圆制造的整个制作过程中，需要经过多次这样的操作，可想而知光刻胶有多重要。

凭借技术壁垒和规模优势，日美两国企业占据全球90%以上的市场份额。尤其是 JSR 、东京应化、信越化学等日本企业，更是占领全球93%的 ArF 光刻胶市场。在光刻胶领域日本是巨无霸，仅仅只是日本企业就占据全球市场的70%以上。

为了应对这种情况，我们早就开始布局，科技部在“十四五计划”期间，设立20亿元专项资金用于 KrF/ArF 光刻胶的研发，同时启动 EUV 光刻胶的技术探索。

经过多年的努力，中国企业已在光刻胶领域有所建树。南大光电、彤程新材、晶瑞电材的 KrF 光刻胶已通过部分晶圆厂的验证，已实现量产。南大光电还可以量产 ArF 光刻胶。

在 EUV 光刻胶领域，我们也有进展。北京大学彭海琳教授团队采用冷冻电子断层扫描技术，可以分析光刻胶的微观结构，能够将光刻缺陷率降低近一倍。这个方案可以直接应用在 EUV 光刻机上面，制造7nm及以下的芯片。

南开大学在氧化钛团簇 EUV 光刻胶上面取得进展，研制出12.9 nm 高分辨负性光刻图案。清华大学也为研究新型光刻胶提供了新的设计思路。

一些企业已攻克了树脂、光敏剂、光致产酸剂等光刻胶核心组分的技术难题，为进一步实现国产化打下基础。华东理工大学提出的新型薄膜沉积制备方法，为优化光刻胶的制造工艺提供了新的解决方案。

在光刻胶领域，我们仍面临很多挑战。日本掌握全球63%的光刻胶核心专利，而我们只有7%。想解决光刻胶的供应，国内企业需要绕开大量的专利陷阱，投入更多的资金去开发新技术。

光刻胶中树脂、光敏剂等核心组分仍需大量从日本进口。日本已对高精度涂布设备、纯度检测仪器等光刻胶制造设备实施了出口管制。

光刻胶性能的也需要光刻机去验证，现在国内已经有28nm 的光刻机。有新闻表示，国产 DUV 光刻机也在测试中。国产光刻机的性能，将会直接影响国产光刻胶的研发。

还有一点需要注意，相比于其它半导体耗材，光刻胶的市场并不大，而且技术门槛高。晶圆厂还需要对光刻胶进行2~3年的验证，这就将很多企业挡在门外。

现在，大家都在思考一个问题，日本拒不撤回高市的错误言论，继续与中国进行对抗。如果想通过断供光刻胶，迫使我们做出让步，我们该怎么办？

很多博主都给出了解决方案，国内企业解决一部分，向韩国和欧盟企业采购一些，弥补市场需求。这样可以给国内企业留出更多的时间，研发非美日国技术的光刻胶。当然，也可以在更多领域对日本进行反制。

其实归根结底，都需要我们自身强大。要想解决半导体供应链卡脖子的问题，光刻胶是关键的一环。

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