上海 5 月 25 日电（记者 林渊）今日，2026 年国际电路与系统研讨会（ISCAS 2026）在上海正式开幕。华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波在主旨演讲《半导体新路径探索与实践》中，正式提出半导体演进 “韬（τ）定律”。这是中国在全球半导体领域首次提出指导产业发展的原创性新原则，为后摩尔时代产业发展提供全新中国方案。

过去数十年，全球半导体产业遵循摩尔定律，以 “几何缩微” 为核心，通过不断缩小晶体管尺寸提升性能。但随着制程逼近 1 纳米原子尺度，摩尔定律遭遇物理极限与成本暴增双重困境：继续微缩难度陡增、良率下降，3 纳米产线投资高达近 200 亿美元，产业演进难以为继。

在此背景下，“韬定律” 核心逻辑彻底跳出 “拼尺寸” 的传统路径，提出以 “时间缩微” 替代 “几何缩微”，将优化核心从 “极致尺寸” 转向 “时间效率”。其以系统性降低时间常数（τ）为目标，通过逻辑折叠、多层堆叠、先进封装等创新技术，持续压缩信号传播时延，构建贯穿器件、电路、芯片到系统的多层级协同优化体系，实现半导体性能与晶体管密度的可持续提升。

据华为披露，基于 “韬定律” 技术路线，过去 6 年已成功设计并量产 381 款芯片，技术成熟度与产业化能力得到验证。2026 年秋季，华为将发布全新麒麟手机芯片，首次完整采用逻辑折叠技术，实现性能跨越式提升。

在性能潜力方面，“韬定律” 展现强劲后劲。预计到 2031 年，基于该定律的高端芯片，晶体管密度将达到 1.4 纳米制程同等水平，无需依赖极致光刻即可实现先进制程性能。

与摩尔定律强依赖 EUV 高端光刻机不同，“韬定律” 通过逻辑折叠与立体堆叠，将传统平面芯片转为多层立体结构，类似存储芯片的数百层堆叠模式，利用硅微孔技术实现层间互联，大幅提升并行运算效率。

该路径对刻线精度要求相对宽松，降低对极致光刻机的依赖，转而强化刻蚀、封装与自主芯片设计软件能力。目前，中国刻蚀机已实现 1 纳米级技术突破，华为在多晶粒封装领域积累大量专利，搭配自研芯片设计软件，形成完整自主技术链条。

针对产业未来，华为强调，“韬定律” 的落地离不开全球协作，未来一定属于合作开放。华为呼吁全球科学家、工程师与产业伙伴携手，共同推进半导体技术创新与产业发展。

“韬定律” 的提出，标志着中国半导体产业从技术跟随转向理论引领的关键转折。通过非对称技术路径，中国有望突破外部技术封锁，依托现有成熟代工技术构建全新产业生态，深刻改变全球半导体竞争格局，为保障产业链供应链安全提供坚实支撑。