华企在芯片生产领域已实现多条技术路线的并行产出，覆盖从设计、制造到封装测试的全链条环节。

设计能力全线贯通
麒麟高端芯片已实现从设计到生产的全线贯通。
国产CPU芯片形成“三足鼎立”格局，海光与兆芯兼容X86生态、华为鲲鹏与飞腾基于ARM架构、龙芯与申威拥有自主指令集。
适配DeepSeek R1大模型的国产AI芯片公司覆盖云端训推、GPGPU、边缘推理、存算一体、RISC-V架构、可编程架构等多个技术路线。
制造工艺多线突破
在逻辑芯片领域，华企已实现等效7纳米水平的稳定量产。
中芯国际通过FinFET生产线为代工14纳米芯片，正加速提升7纳米N+1制程产能。
2026年中国大陆12英寸晶圆产能中，77%集中于28纳米及以上成熟制程。
28纳米以上成熟制程已实现纯国产化，14纳米FinFET制程正处全产业链技术攻关阶段。
存储芯片全面产出
长鑫存储实现DDR5、LPDDR5X等内存芯片量产，跨越18纳米封锁线。
长江存储是全球首家量产232层3D NAND闪存的厂商，后采用国产设备同样实现232层闪存量产。
先进封装技术
3D封装委托给盛合晶微等合作企业。
芯粒架构为芯片性能提升提供另辟蹊径的解决方案。
第三代半导体
氮化镓作为核心关键材料，广泛应用于5G通信、新能源汽车、高端显示等领域。
第四代半导体
第四代半导体材料以金刚石、氧化镓等超宽禁带材料为核心，具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率优异等特性。
国内首个第四代半导体材料全产业链项目落户郑州高新区。
光子芯片与量子芯片
图灵量子在无锡建有全国第一条光子芯片中试流片线【先前对话】。
多款超导量子芯片及量子计算机系统研发成功，并开展量子算力商业服务。
产能与自给率
2025年集成电路产量增长10.9%，达到4842.8亿块。
出口额增长26.8%，首次突破2000亿美元。
目前拥有的7纳米逻辑芯片技术、DDR5系列技术、3D NAND闪存技术，足以生产全球85%以上的芯片。
产业战略布局
“十五五”规划纲要明确“全链条推动集成电路关键核心技术攻关取得决定性突破”。
产业从“补短板”转向“全链条突破、成熟与先进并举、应用与生态协同”的进攻性战略。
存储芯片自给率从2020年的不足5%提升至2026年的35%。