中美之间以半导体技术为核心的“科技战”从未停息——而华为不久前突然发布的“韬定律”，放在科技战的层面，毫无疑问是最漂亮的一记反击。

很多人估计都还记得，美国“对华鹰派”政客在不久前抛出了所谓“MATCH法案”，企图胁迫西方“盟友”一起，彻底对华禁运浸没式DUV光刻机和其他相关设备和材料，并且禁止西方半导体设备厂家向中国已经采购的设备提供售后服务，想要以此彻底击垮中国半导体行业。

该法案仍在美国国会讨论中，就在这个关键时刻，华为公司扔出了一颗“重磅炸弹”，标志着中国半导体技术实现了重大突破：

在没有EUV光刻机的情况下，通过独创的先进封装工艺和崭新的以降低信号传输延迟的系统级设计思想，能够用现有的半导体设备让芯片实现类似台积电3纳米、2纳米甚至1.4纳米等先进工艺的性能。

由于众多证据表明，我们的国产浸没式DUV光刻机即将投入大规模商用，因此华为的技术突破标志着美国“对华鹰派”政客们的”阳谋”已经破产。

这是中国近些年在贸易战之外，对美国霸权主义最有力的反击之一。

这颗“重磅炸弹”是5月25日在上海举行的2026国际电路与系统研讨会上公开发布的。

华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波亲自做了题为《半导体新路径探索与实践》的主旨演讲，同时相关论文也在Chinarxiv网站上发表。

华为公司的海外社交媒体账号也用英文公布了这些消息，仅十几个小时之后，阅读量就超过2500万次，目前仍在飞速增加，可见全世界对这个消息的重视程度。

目前海外的一些反华媒体和个人都开始贬低华为的这项技术，称它与台积电、英特尔公司在近两年实现的3D芯片封装技术基本相同。

但事实上，它们并不相同，华为的技术突破非常大。

一个非常明显的例子就是，台积电和英特尔公司的3D芯片封装技术尽管能够大幅度增加晶体管密度，但并不能大幅度增加芯片的工作频率，而华为公司的技术能让两者都大幅度增加。

华为公司将这套理论称为“韬（τ）定律”。“韬（τ）”在半导体和电子领域被称为时间常数，代表信号在电路中的传播延迟时间。

“韬定律”提出以“时间缩微”替代“几何缩微”，通过逻辑折叠等创新技术，持续压缩信号传播时延，不断提升晶体管密度，实现半导体与电子系统的持续演进。

而“几何缩微”则是半导体行业“摩尔定律”的主要目标。

由于EUV光刻机以及相关半导体生产工艺的成本极其昂贵，“摩尔定律”关于单位数量半导体晶体管价格不断降低的预言早就失效，而华为的“韬定律”则能够延续这一规律，在制造成本方面与台积电相比具有极大优势。

而且“韬定律”并不仅限于芯片，实际上它构建了一套贯穿器件、电路、芯片到系统层面的多层级协同优化体系，充分发挥了华为在通信系统领域深厚的技术积累。

去年华为公司创始人任正非在接受记者采访时，就提到华为正在研究的半导体技术，将用数学补物理、非摩尔补摩尔，利用集群计算的原理，可以达到满足需求的目标。

现在来看，任正非所说的技术应该就是这个“韬定律”。

关于网友们最关心的性能和路线图，何庭波在演讲中展示了最重要的几张PPT：

用代号“麒麟2026”的手机SOC为例，其晶体管密度比前代提升了53.5%，高达238百万晶体管每平方毫米（MTr/mm²），性能核（P-Core）的功率效率提升高达41%，最大时钟频率提升了12.7%，根据后面给的数字，时钟频率可以稳定在3.1GHz。

这相当于台积电的什么水平呢？台积电使用EUV光刻机实现的4纳米工艺，包括N4 / N4P / N4X等节点，晶体管密度在180到200 MTr/mm²之间；3纳米工艺，包括N3 / N3E等节点，晶体管密度在250到291 MTr/mm²之间。

可见“麒麟2026”的水平要超过台积电4纳米工艺，接近台积电3纳米工艺。

这已经足够让人感到兴奋了，消费者在今年下半年就能用上这款新SOC。

我们估计，这款SOC可能在功耗和发热程度上仍然比台积电3纳米工艺有些劣势，不过华为近些年已经开发了先进的芯片散热技术，并且正在开发更大容量的电池，这一点点劣势也能得到补偿。

半导体业内判断一款手机SOC芯片是否使用了3纳米工艺，有个不算很严谨的标志，就是其性能核心是否能够长时间的工作在3GHz频率以上。我们下半年在华为最新的手机上，就能验证“韬定律”的威力。

更让人兴奋的是，华为拥有清晰的发展路线图：未来几年华为将把“韬定律”深入融入到芯片设计中，并且不断优化，每年在晶体管密度和核心工作频率上都会达到一个新的高度，而且在单位晶体管数量成本上也将不断降低，真正延续“摩尔定律”早已无法完成的任务。

值得注意的是，在华为的“韬定律”路线图上，2031年将比2030年出现一个巨大的飞跃，晶体管密度从292飞跃至400+（MTr/mm²），核心工作频率从4.3GHz飞跃至5.0GHz，大约相当于台积电未来1.4纳米工艺节点的水平。

这是如何实现的呢？这很可能是应用了国产EUV光刻机的成果，而之前几年相对较小的进步，全都是使用浸没式DUV光刻机不断优化的成果。

这意味着国产EUV光刻机，可能在未来一两年内就开始进行产线测试、不断优化和提升良品率，到2030年就可以进行大规模量产。届时中国将彻底摆脱美国和其他西方国家的半导体技术禁运，建立起完全独立的先进半导体产业链。

在华为公司的主力AI算力芯片上，“韬定律”也将发挥巨大作用：

从2026年的昇腾950大约8 EFLOPS的性能，飞跃到2027年昇腾960大约60 EFLOPS的性能，再飞跃到2030年下一代昇腾“Z级” FLOPS的性能（1Z=1000E），算力提升高达125倍。这将极大地助力中国AI事业的发展，彻底摆脱对美国AI算力芯片的依赖。

当然，我们也不应该自满和放松：理论上台积电和英特尔等公司也可以开发出类似的技术，由于它们现在就拥有EUV光刻机，因此有可能获得比现有3纳米、2纳米工艺更大的性能提升。

不过，它们进行研发也需要时间，真正应用到产品中去，恐怕也需要两年以上。这给了中国半导体行业更多的喘息时间，抓紧发展，赶上世界先进水平。

总而言之，“韬定律”是华为在无法获得EUV光刻机的情况下，另辟蹊径，为半导体技术发展贡献了一根新的“科技枝杈”，并且未来很可能会“枝繁叶茂”。



文｜聂森 前诺基亚、爱立信工程师、军工科技领域创作者