目前，中芯已经有7nm芯片工艺，这基本上已经是大家不再怀疑的事实了。

毕竟基于中芯的7nm工艺，已经量产了很多颗芯片了，比如麒麟芯片，昇腾芯片等等，这些都是最好的例子。

而近日，国外知名媒体TechInsights深度拆解了中芯的一些芯片，探索中芯在没有EUV光刻机的情况之下，是怎么实现7nm工艺的。

按照对方的拆解，发现中芯的7nm芯片，是使用深紫外光（DUV）浸没式光刻机制造的，通过四重或三重曝光来实现超衍射极限的特征尺寸。

因为没有EUV，所以分辨率相对没那么高，中芯国际只能在关键层反复进行DUV多图案化，也就是多重对准，另外还采用了自对准双图形等工艺等。

从其拆解来看，中芯的7nm芯片，采用的还是14nm工艺使用的FinFET晶体管技术，只是在高κ金属栅极结构上做了匹配性缩放，以实现7nm的工艺。

不过对方也称，因为使用DUV光刻机，进行多重曝光，所以刻录效率会低很多，且良率也会很低，所以成本会较高。

但随着7nm芯片的是量产后，不断的改进，良率已经迅速的提升，且成本也迅速的降低，预计接下来，产能会大大的提升。

对方甚至还透露出，目前利用DUV光刻机，中芯的5nm芯片，已经在试产了，只是良率不高，经济性差一点，但在2026年目标是产出160万颗5nm芯片。

对方认为，目前的技术通路已经打开了，那么后续的问题，就不再是问题了。

此外，报告还分析称，之前台积电从16nm进入到7nm花了三年多时间，中间还经历了10纳米节点，而三星从14nm进入7nm，花了五年时间。

而现在中芯在没有EUV的情况下，从14纳米迭代到7纳米，也只花了2年左右的时间，这个进度，其实是比台积电更快的。

很明显，中芯在打压之下，确实进行了大突破。接下来随着韬定律发布，EUV虽然还重要，但是却没有那么重要了，基于DUV，我们也可以制造出更先进的芯片了。

这也意味着，美国的打压，算是彻底失败了，你觉得呢？