IT之家2月3日消息，科技媒体MacObserver昨日（2月2日）发布博文，报道称针对近期关于“苹果将在iPhone中采用英特尔芯片”的传闻，多位半导体行业专家表示该可能性几乎为零。

此次传闻源于DigiTimes的一份报道。该报道指出，苹果正评估将英特尔18AP工艺用于计划于2027年发布的低端M系列芯片，甚至可能在2028年用于非Pro版iPhone的芯片生产。

此外，广发证券（GFSecurities）分析师蒲得宇JeffPu补充称，苹果计划于2028年推出的定制ASIC芯片也将采用英特尔的EMIB封装技术。

还有消息称英特尔已与苹果签署保密协议（NDA），并交付了18AP设计套件以供测试，该节点也是英特尔首个支持FoverosDirect3D混合键合技术的工艺，允许芯片进行垂直堆叠。

不过SemiWiki论坛专家指出核心技术障碍：散热。英特尔在18A和14A节点上全面采用了被称为PowerVia的背面供电技术（BSPD）。

相比之下，台积电则采取了更为灵活的策略，提供含BSPD和不含BSPD的多种节点供设计者选择。专家分析，虽然BSPD能优化供电效率并提升性能，但其结构特性会导致芯片运行温度升高。

行业专家IanD指出在保持相同芯片核心温度（Hotspots）的前提下，采用BSPD技术的芯片需要散热器温度降低约20°C才能维持热平衡。IT之家附上相关截图如下：

其主要原因是BSPD结构导致垂直导热性能变差，且由于缺乏厚硅基板，横向导热能力也大幅削弱。对于依赖空气冷却（AirCooling）且机身空间极度受限的iPhone而言，这种热积聚是致命的。

综上所述，英特尔的先进工艺虽然在性能指标上具有竞争力，但其热力学特性并不适合智能手机。业内普遍认为，英特尔或许有机会争取到散热条件相对宽松的低端M系列（Mac）芯片订单，但在解决严重的积热问题之前，iPhone处理器的大门对其依然紧闭。