花旗：内存

花旗预计内存供应不足状况将持续至2031年。

HBM与DRAM预测

HBM需求激增：HBM位需求预计2027年同比增长62%（至752亿吉位），2028年同比增长69%（至1270亿吉位）。

全球DRAM增长：全球DRAM需求预计2027年增长30%，2028年增长35%，受服务器DDR5和HBM的同步需求驱动。

市场严重供应不足：DRAM供应增长有限（2027年19%；2028年22%），将导致供需缺口收紧，2027年为-8.7%，2028年为-9.7%。

NAND与eSSD预测

eSSD需求扩大：存储海量先前学习数据将推动企业级SSD的强劲需求。

NAND缺口：NAND需求增长将超过供应——2027年预计为29%对21%，2028年为33%对25%——导致供应缺口2027年为-6.1%，2028年为-5.5%。

产能权衡：NAND供应短缺主要由内存制造商优先扩展DRAM和HBM的绿地产能所驱动，而牺牲NAND产能。